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PD-400C高真空磁控溅射
产品摘要
该磁控溅射系统的用户群体为科研院所与高校实验室,核心部件均采用欧美知名品牌,技术先进,性能稳定,自动化程度高可替代进口。
产品介绍

设备特点:

★兼容直流和射频溅射源,溅射金属、非金属及化合物薄膜

★良好的薄膜均匀性和重复性,可沉积金属、半导体和绝缘材料,可拓展沉积多层膜及复合膜

★3个3英寸圆形靶枪,杆状安装,共焦向上溅射

设备参数:

腔体尺寸(L×W×Hmm):850×1100×1900

设备尺寸(L×W×Hmm):400×400×380

基片台:最高温度 600℃控温误差±5℃

真空极限:(5E﹣05)Pa

★抽速保压:(8E﹣04)Pa≤30min保压12小时≤8pa

★托盘均匀性优于±3%~±5%

溅射靶枪三个(2-3英寸)溅射尺寸2-4英寸


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