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设备特点：
★反应内腔和外腔配置独立高性能MKS真空计，可实时观察ALD工艺过程中压强变化和内外压强差
★自动控制软件，操作简单；具有CDA报警以及防温度失控硬件保护功能，保障ALD工艺安全性
设备参数：
★样品台：8英寸样品台双腔室反应腔，兼容210×210 mm方形样品，样品台空间高度100mm，可适用多片堆叠工艺
★加热均匀性：真空内辐射加热，样品温度可加热到400℃，反应区域空间温度在200℃时均匀性≤±2℃，温度控制精度±0.5℃
★前驱体源：配置6路前驱体源：其中4路加热金属源、1路水前驱体源和1路臭氧前驱体源
★沉积非均匀性：8英寸内沉积50nm氧化铝非均匀性≤±1%
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