设备特点:
★反应内腔和外腔配置独立高性能MKS真空计,可实时观察ALD工艺过程中压强变化和内外压强差
★自动控制软件,操作简单;具有CDA报警以及防温度失控硬件保护功能,保障ALD工艺安全性
设备参数:
★样品台:8英寸样品台双腔室反应腔,兼容210×210 mm方形样品,样品台空间高度100mm,可适用多片堆叠工艺
★加热均匀性:真空内辐射加热,样品温度可加热到400℃,反应区域空间温度在200℃时均匀性≤±2℃,温度控制精度±0.5℃
★前驱体源:配置6路前驱体源:其中4路加热金属源、1路水前驱体源和1路臭氧前驱体源
★沉积非均匀性:8英寸内沉积50nm氧化铝非均匀性≤±1%