设备特点:
★兼容直流和射频溅射源,溅射金属、非金属及化合物薄膜
★良好的薄膜均匀性和重复性,可沉积金属、半导体和绝缘材料,可拓展沉积多层膜及复合膜
★3个3英寸圆形靶枪,杆状安装,共焦向上溅射
设备参数:
★腔体尺寸(L×W×Hmm):850×1100×1900
★设备尺寸(L×W×Hmm):400×400×380
★基片台:最高温度 600℃控温误差±5℃
★真空极限:(5E﹣05)Pa
★抽速保压:(8E﹣04)Pa≤30min保压12小时≤8pa
★托盘均匀性优于±3%~±5%
★溅射靶枪三个(2-3英寸)溅射尺寸2-4英寸