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设备特点：
★配置高性能薄膜真空计和大气压力检测真空计，可实时观察ALD 工艺过程中压强变化
★自动控制软件，具有CDA报警以及防温度失控硬件保护功能，保障ALD工艺安全性
★沉积材料：HfO2、ZrO2、SnO2、A1203、ZnO、TiO2等，沉积薄膜非均匀性<±2%
★提供38℃氧化铪工艺for14nm及以下集成电路先进工艺节点TEM分析，防止电子束对低温光刻胶的损伤和变形，氧化铪镀膜3nm工艺时间＜15min
设备参数：
★真空腔室：4英寸样品沉积反应腔，样品温度可加热到150℃，温度控制精度±0.5℃
★前驱体源：配置3路前驱体源：2路加热金属前驱体源和1路常温水前驱体源
★抽速：配置高性能双极旋片真空泵，抽速不小于65m3/h
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